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CSD16322Q5C数据表
制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VSON-CLIP-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 25 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 5.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.1 V
Qg-栅极电荷: 6.8 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.1 W
配置: Single
商标名: NexFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1 mm
长度: 6 mm
系列: CSD16322Q5C
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5 mm
商标: Texas Instruments
正向跨导 - 最小值: 106 S
下降时间: 3.7 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 10.7 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 12.3 ns
典型接通延迟时间: 6.1 ns
单位重量: 105.800 mg
